La primera fuente de luz LED, que utilizaba el principio-de emisión de luz de una unión P-N semiconductora, se inventó a principios de los años 1960. El material utilizado en aquella época era GaAsP, que emitía luz roja (λp=650nm). Con una corriente impulsora de 20 mA, el flujo luminoso era de sólo unas pocas milésimas de lumen, lo que daba como resultado una eficacia luminosa de aproximadamente 0,1 lúmenes/vatio.
A mediados de la década de 1970, la introducción de elementos In y N permitió a los LED producir luz verde (λp=555nm), amarilla (λp=590nm) y naranja (λp=610nm), y la eficacia luminosa se mejoró a 1 lumen/vatio.
A principios de la década de 1980, surgieron las fuentes de luz LED de GaAlAs, que permitieron que los LED rojos alcanzaran una eficacia luminosa de 10 lúmenes/vatio.
A principios de la década de 1990, el desarrollo exitoso de dos nuevos materiales: -GaAlInP (que emite luz roja y amarilla) y GaInN (que emite luz verde y azul)-mejoró significativamente la eficacia luminosa de los LED. En 2000, el primero produjo LED con una eficacia luminosa de 100 lúmenes por vatio en las regiones roja y naranja (λp=615nm), mientras que el segundo produjo LED con una eficacia luminosa de 50 lúmenes por vatio en la región verde (λp=530nm).
